參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH13N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 13 A, 1000 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFH13N100
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-204 AA (IXFM) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40
0.97
1.53
30.15
10.67 11.17
5.21
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84
25.16 25.90
Inches
Min.
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
Max.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
9.14
1.09
2.92
BSC
BSC
5.71
4.19
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
4000
310
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
70
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
21
33
62
32
50
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(External),
100
50
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
122
30
50
155
45
80
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.42
K/W
K/W
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
10N100
12N100
13N100
10
12
A
A
A
12.5
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
10N100
12N100
13N100
40
48
50
A
A
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
250
400
ns
ns
Q
RM
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
1
2
C
C
I
RM
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
10
15
A
A
I
= I
-di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 100 V
IXFH 10N100
IXFM 10N100
IXFH 12N100
IXFM 12N100
IXFH 13N100
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFM10N100 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM12N100 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N50 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM10N60 HIPERFET Power MOSFTETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH13N50 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH13N65 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH13N80 功能描述:MOSFET 800V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH13N80Q 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH13N90 功能描述:MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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