參數(shù)資料
型號(hào)： IXFC15N80Q
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface
中文描述： 13 A, 800 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 517K
代理商： IXFC15N80Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFC 15N80Q
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
8
16
S
C
iss
C
oss
C
rss
4300
360
60
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
18
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External)
27
53
16
ns
ns
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
90
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
20
30
nC
nC
R
thJC
R
thCK
0.54
K/W
K/W
(TO-247)
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
15
A
I
SM
Repetitive;
60
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
μ
C
I
F
= I
S
-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
0.85
8
A
ISOPLUS220 Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFC24N50 HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC26N50 HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC52N30P PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
IXFC80N10 HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220
IXFE44N60 Aluminum Electrolytic Capacitor; Capacitor Type:Motor Start/Motor Run; Voltage Rating:250VDC; Capacitor Dielectric Material:Aluminum Electrolytic; Operating Temperature Range:-40 C to ? C; Capacitance:2900uF RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFC16N50P 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC16N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC20N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC22N60P 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC24N50 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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