參數(shù)資料
型號： IXDR30N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 69K
代理商： IXDR30N120D1
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXDR 30N120 D1
IXDR 30N120
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
mJ
14
0
20
40
60
80
100
120
ns
140
0
10
20
30
40
I
C
50
0
1
2
3
4
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300
400
ns
600
0.00001
0.0001
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0.001
0.01
0.1
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R
G
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240
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1
2
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4
5
0
300
600
900
1200
1500
0
40
80
120
160
R
G
200
240
0
2
4
6
8
10
12
mJ
0
60
120
180
240
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 47
W
T
J
= 125
°
C
IXDR30N120
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 25A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
10
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A
60
R
G
= 47
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 47
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 25A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
W
W
t
s
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXEN60N120 NPT IGBT
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
IXFA4N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻3.0Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDR35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR502D1B 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS502D1B 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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