參數(shù)資料
型號(hào)： IXDN55N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： IXDN55N120
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
20
40
60
80
100
0
6
12
18
24
0
30
60
90
120
0
20
40
60
80
I
C
100
0
2
4
6
8
10
12
mJ
0
100
200
300
400
500
600
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
2
4
6
8
10
0
300
600
900
1200
1500
ns
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
5
10
15
20
mJ
0
60
120
180
240
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
IXDN55N120
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
A
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
E
on
mJ
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
IXDN 55N120
IXDN 55N120 D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDN55N120D1 High Voltage IGBT with optional Diode
IXDN75N120 High Voltage IGBT
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP630 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDN55N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 85A I(C) | SOT-227B
IXDN55N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDN602D2TR 功能描述:IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時(shí)間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
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