參數(shù)資料
型號: IXDN55N120
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MINIBLOC-4
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: IXDN55N120
2000 IXYS All rights reserved
1 - 4
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25°C to 150°C
T
J
= 25°C to 150°C; R
GE
= 20 k
1200
1200
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 90°C, t
p
= 1 ms
100
62
124
A
A
A
RBSOA
V
= ±15 V, T
= 125°C, R
= 22
Clamped inductive load, L = 30 μH
I
CM
= 100
V
CEK
< V
CES
A
t
(SCSOA)
V
GE
= ±15 V, V
= V
, T
J
= 125°C
R
G
= 22 , non repetitive
10
μs
P
C
T
C
= 25°C
IGBT
Diode
450
220
W
W
V
ISOL
50/60 Hz; I
ISOL
1 mA
2500
V~
T
J
T
stg
-40 ... +150
-40 ... +150
°C
°C
M
d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Weight
30
g
V
CES
I
C25
V
CE(sat) typ
= 2.3 V
= 1200 V
= 100 A
Features
G
NPT IGBT technology
G
low saturation voltage
G
low switching losses
G
square RBSOA, no latch up
G
high short circuit capability
G
positive temperature coefficient for
easy paralleling
G
MOS input, voltage controlled
G
optional ultra fast diode
G
International standard package
miniBLOC
Advantages
G
Space savings
G
Easy to mount with 2 screws
G
High power density
Typical Applications
G
AC motor speed control
G
DC servo and robot drives
G
DC choppers
G
Uninteruptible power supplies (UPS)
G
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
High Voltage IGBT
with optional Diode
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IXDN 55N120
IXDN 55N120 D1
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V
1200
V
V
GE(th)
I
C
= 2 mA, V
CE
= V
GE
4.5
6.5
V
I
CES
V
CE
= V
CES
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3.8 mA
6
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= ±
20 V
± 500
nA
V
CE(sat)
I
C
= 55 A, V
GE
= 15 V
2.3
2.8
V
IXDN 55N120 IXDN 55N120 D1
G
C
E
G
C
E
E = Emitter
x
,
G = Gate,
C = Collector
E = Emitter
x
x
Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
miniBLOC, SOT-227 B
E153432
G
E
E
C
相關PDF資料
PDF描述
IXDN55N120D1 High Voltage IGBT with optional Diode
IXDN75N120 High Voltage IGBT
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP630 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXDN55N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 85A I(C) | SOT-227B
IXDN55N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDN602D2TR 功能描述:IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件
IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導啟動):118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M