- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383188 > IXDN50N120AU1 (IXYS CORP) High Voltage IGBT with Diode(Short Circuit SOA Capability) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXDN50N120AU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT with Diode(Short Circuit SOA Capability) |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOT-227B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | IXDN50N120AU1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN55N120 | High Voltage IGBT with optional Diode |
| IXDN55N120D1 | High Voltage IGBT with optional Diode |
| IXDN75N120 | High Voltage IGBT |
| IXDP610 | Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
| IXDP630 | Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXDN514 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
| IXDN514D1 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC LS MOSFET DRVR 35V, 14A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXDN514D1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXDN514D1TR | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
| IXDN514PI | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。