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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ispLSI5512VA-125LB388 |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | In-System Programmable 3.3V SuperWIDE⑩ High Density PLD |
| 中文描述： | 在系統(tǒng)可編程3.3超寬⑩高密度可編程邏輯器件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | ISPLSI5512VA-125LB388 |
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Specifications
ispLSI 5512VA
10
Absolute Maximum Ratings
1, 2
Supply Voltage V
cc
.................................. -0.5 to +5.4V
Input Voltage Applied............................... -0.5 to +5.6V
Tri-Stated Output Voltage Applied........... -0.5 to +5.6V
Storage Temperature................................ -65 to 150
°
C
Case Temp. with Power Applied .............. -55 to 125
°
C
Max. Junction Temp. (T
J
) with Power Applied ... 150
°
C
1. Stresses above those listed under the
“
Absolute Maximum Ratings
”
may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or at any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification
is not implied (while programming, follow the programming specifications).
2. Compliance with the Thermal Management section of the Lattice Semiconductor Data Book or CD-ROM is a requirement.
DC Recommended Operating Condition
SYMBOL
Table 2 - 0005/5000
V
CC
V
CCIO
PARAMETER
Supply Voltage
I/O Reference Voltage
Commercial
Industrial
T
A
= 0
°
C to +70
°
C
T
A
= -40
°
C to +85
°
C
MIN.
3.00
3.00
MAX.
3.60
3.60
UNITS
V
V
2.3
3.60
V
Capacitance (T
A
=25
°
C,f=1.0 MHz)
SYMBOL
Table 2 - 0006/5384
C
C
PARAMETER
Clock Capacitance
10
UNITS
pf
TYPICAL
10
TEST CONDITIONS
V = 3.3V, V = 2.0V
2
pf
V = 3.3V, V = 2.0V
V = 3.3V, V = 2.0V
C
I/O Capacitance
1
Global Input Capacitance
10
3
pf
Erase Reprogram Specification
Table 2-0008/3320
PARAMETER
MINIMUM
10000
MAXIMUM
–
UNITS
Cycles
ispLSI Erase/Reprogram Cycles
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ispLSI5512VA-125LQ208 | In-System Programmable 3.3V SuperWIDE⑩ High Density PLD |
| ISPLSI5512VA-70LB272 | In-System Programmable 3.3V SuperWIDE⑩ High Density PLD |
| ISPLSI5512VA-70LB388 | In-System Programmable 3.3V SuperWIDE⑩ High Density PLD |
| ISPLSI5512VA-100LQ208 | In-System Programmable 3.3V SuperWIDE⑩ High Density PLD |
| ISPLSI81080V-125LB272 | 3.3V In-System Programmable SuperBIG⑩ High Density PLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISPLSI5512VA-70LB272 | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VA-70LB388 | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VA-70LB388I | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VA-70LQ208 | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VA-770LB272 | 制造商:Lattice Semiconductor Corporation 功能描述: |
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