參數(shù)資料
型號： ISL6609CRZ
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Synchronous Rectified MOSFET Driver
中文描述： 4 A AND GATE BASED MOSFET DRIVER, PQCC8
封裝： 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-220VEEC, QFN-8
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 321K
代理商： ISL6609CRZ
9
FN9221.0
August 10, 2005
Therefore, the actual coupling effect should be examined
using a very high impedance (10M
or greater) probe to
ensure a safe design margin.
V
GS_MILLER
-------
R C
rss
1
e
V
–
-------
R C
iss
---------------------------------
–
=
R
R
UGPH
R
GI
+
=
C
rss
C
GD
=
C
iss
C
GD
C
GS
+
=
(EQ. 5)
FIGURE 5. GATE TO SOURCE RESISTOR TO REDUCE
UPPER MOSFET MILLER COUPLING
VIN
Q
UPPER
D
S
G
R
GI
R
U
BOOT
DU
C
DS
C
GS
C
GD
DL
PHASE
VCC
I
C
BOOT
UGATE
ISL6609, ISL6609A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL6609CRZ-T Synchronous Rectified MOSFET Driver
ISL6609ACBZ 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
ISL6609ACBZ-T Synchronous Rectified MOSFET Driver
ISL6609ACRZ 7-Bit Bus Interfaces With 3-State Outputs 20-SOIC 0 to 70
ISL6609ACRZ-T 7-Bit Bus Interfaces With 3-State Outputs 20-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ISL6609CRZ-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
ISL6609IBZ 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
ISL6609IBZ-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
ISL6609IR 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET DRVR 4A 2-OUT HI/LO SIDE INV/NON-INV 8QFN EP - Rail/Tube
ISL6609IR-T 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET DRVR 4A 2-OUT HI/LO SIDE INV/NON-INV 8QFN EP - Bulk
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