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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LPD25636A-200B3I |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
9
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
PIN CONFIGURATION
(3 Chip-Enable Option)
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa-BWb
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
Synchronous Data Input/Output
DQPa-DQPb
Parity Data I/O; DQPa is parity for
DQa1-8; DQPb is parity for DQb1-8
GW
Synchronous Global Write Enable
MODE
Burst Sequence Mode Selection
OE
Output Enable
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Buffer Supply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
Snooze Enable
100-PIN TQFP (512K X 18)
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
CE2
VDD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
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54
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52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
NC
A
46 47 48 49 50
(2 Chip-Enable Option)
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
V
DD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
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51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
V
DD
NC
A
46 47 48 49 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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