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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LF51218D-8.5TQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | IS61LF51218D-8.5TQ |
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SF25632T/D
IS61LF25632T/D
IS61SF25636T/D
IS61LF25636T/D
IS61SF51218T/D
IS61LF51218T/D
ISSI
PIN CONFIGURATION
256K x 32
100-Pin TQFP (T Version)
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2-A17
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa-BWd
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
GW
Synchronous Global Write Enable
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQd
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
VCC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
VCCQ
Isolated Output Buffer Supply:
+3.3V or 2.5V
ZZ
Snooze Enable
NC
DQc1
DQc2
VCCQ
GND
DQc3
DQc4
DQc5
DQc6
GND
VCCQ
DQc7
DQc8
NC
VCC
NC
GND
DQd1
DQd2
VCCQ
GND
DQd3
DQd4
DQd5
DQd6
GND
VCCQ
DQd7
DQd8
NC
DQb8
DQb7
VCCQ
GND
DQb6
DQb5
DQb4
DQb3
GND
VCCQ
DQb2
DQb1
GND
NC
VCC
ZZ
DQa8
DQa7
VCCQ
GND
DQa6
DQa5
DQa4
DQa3
GND
VCCQ
DQa2
DQa1
NC
MODE
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
GND
VCC
NC
A17
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A6
A7
CE
CE2
BWd
BWc
BWb
BWa
CE2
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2LI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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