參數(shù)資料
型號(hào): IRS21281PbF
廠(chǎng)商: International Rectifier
英文描述: Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
中文描述: 電流傳感單通道驅(qū)動(dòng)
文件頁(yè)數(shù): 11/21頁(yè)
文件大?。?/td> 372K
代理商: IRS21281PBF
www.irf.com
11
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
Max
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
L
I
Figure 1
4
A. Logic "0" ("1" for 2128) V
IL
Threshold
vs. Temperature
Max
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
10
12
14
16
18
20
Supply Voltage (V)
L
I
Figure 1
4
B. Logic "0" ("1" for 2128) V
IL
Threshold vs.
Voltage
Min
Typ
Max
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
C
Figure
15
A. CS Input Positive Going Voltage
vs. Temperature
Min
Typ
Max
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
10
12
14
16
18
20
Supply Voltage (V)
Figure 1
5
B. CS Input Positive Going Voltage vs.
Voltage
C
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PDF描述
IRS21281SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRS2128PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
IRS2128SPbF CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
IRS2130JTRPbF 3-PHASE BRIDGE DRIVER
IRS2130 3-PHASE BRIDGE DRIVER
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參數(shù)描述
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IRS21281STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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