參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU3802
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 143K
代理商： IRLU3802
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 12A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.81
0.65
52
54
50
50
1.2
–––
78
81
75
75
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
S
D
G
Diode Characteristics
84
320
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
12
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.009 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
6.5
–––
–––
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-3.2
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
Forward Transconductance
31
–––
Total Gate Charge
––– 27 41
Pre-Vth Gate-Source Charge
–––
3.6
Post-Vth Gate-Source Charge
–––
2.0
Gate-to-Drain Charge
–––
10
Gate Charge Overdrive
–––
11
Switch Charge (Q
gs2
+
Q
gd
)
–––
12
Output Charge
–––
28
Turn-On Delay Time
–––
11
Rise Time
–––
14
Turn-Off Delay Time
–––
21
Fall Time
–––
17
Input Capacitance
–––
2490
Output Capacitance
–––
2150
Reverse Transfer Capacitance
–––
530
–––
V
8.5
30
1.9
––– mV/°C
100
250
200
-200
–––
V
GS
= 4.5V, I
D
= 15A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
V
μA
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
DS
= 6.0V, I
D
= 12A
nA
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
S
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
DS
= 6.0V
V
GS
= 5.0V
I
D
= 6.0A
See Fig.16
nC
nC
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 6.0V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
Clamped Inductive Load
ns
V
GS
= 0V
V
DS
= 6.0V
= 1.0MHz
pF
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
300
20
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU3802PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR3915 HEXFET Power MOSFET
IRLU3915 HEXFET Power MOSFET
IRLR4343 DIGITAL AUDIO MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLU3815 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251AA
IRLU3915 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU3915PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU4343 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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