參數(shù)資料
型號: IRLR7821CPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 10/11頁
文件大?。?/td> 330K
代理商: IRLR7821CPBF
10
www.irf.com
0-.
78
LINE A
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
OR
PRODUCT (OPTIONAL)
P = DESIGNATES LEAD-FREE
A = ASSEMBLY SITE CODE
IRFU120
119A
DATE CODE
PART NUMBER
LOT CODE
ASSEMBLY
56
78
YEAR 1 = 2001
WEEK 19
indicates Lead-Free"
ASSEMBLED ON WW 19, 2001
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
Note: "P" in assembly line position
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5678
THIS IS AN IRFU120
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
ASSEMBLY
LOT CODE
IRFU120
56
PART NUMBER
WEEK 19
DATE CODE
YEAR 1 = 2001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU7821CPbF HEXFET Power MOSFET
IRLR7843CPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7843CPbF HEXFET Power MOSFET
IRLR8103VPBF N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRLR8113PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7821CTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR7821CTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7821HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Rail/Tube
IRLR7821PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR7821TR 制造商:International Rectifier 功能描述: