參數(shù)資料
型號： IRLR4343
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 255K
代理商： IRLR4343
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.3V
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
2.3V
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
TOP
BOTTOM
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 19A
VGS = 10V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
40
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
ID= 19A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 19
0
2
4
6
8
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 30V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU4343 DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLU4343-701 DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLR7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLR7811WPBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR4343-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR4343PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR4343TR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR4343TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 26A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRLR4343TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*