參數(shù)資料
型號： IRLML6401
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： IRLML6401
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-4.3A
V
=-10V
DS
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PDF描述
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