參數(shù)資料
型號(hào)： IRLMS2002
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 95K
代理商： IRLMS2002
Parameter
Max.
20
6.5
5.2
20
2.0
1.3
0.016
± 12
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
W/°C
V
°C
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to + 150
01/13/03
Parameter
Max.
62.5
Units
°C/W
R
θ
JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
1
IRLMS2002
HEXFET Power MOSFET
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications.
The Micro6
package with its customized leadframe
produces a HEXFET
power MOSFET with R
DS(on)
60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R
DS(on)
reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 0.030
Description
Ultra Low On-Resistance
N-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
2.5V Rated
Top View
1
2
D
G
A
D
D
D
S
3
4
5
6
Micro6
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRLMS2002GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLMS2002PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
IRLMS2002TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLMS2002TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.5A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel
IRLMS2002TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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