參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML2502
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大小： 126K
代理商： IRLML2502
www.irf.com
7
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - SOURCE
3 - DRAIN
H
0.20 ( .008 ) M A M
L
3X
3X
C
θ
A1
- C -
B 3X
A
e
e1
0.008 (.003)
3
1
2
E
- A -
- B -
D
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .032 .044 0.82 1.11
A1 .001 .004 0.02 0.10
B .015 .021 0.38 0.54
C .004 .006 0.10 0.15
D .105 .120 2.67 3.05
e .0750 BASIC 1.90 BASIC
e1 .0375 BASIC 0.95 BASIC
E .047 .055 1.20 1.40
H .083 .098 2.10 2.50
L .005 .010 0.13 0.25
θ
0° 8° 0° 8°
0.10 (.004) M C A S B S
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
0.80 ( .031 )
3X
2.00
( .079 )
0.95 ( .037 )
2X
0.90
( .035 )
3X
3
3
3
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLML2803 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
IRLML6401 HEXFET Power MOSFET
IRLML6402PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS1902 HEXFET Power MOSFET
IRLMS2002 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML2502GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLML2502GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML2502PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23
IRLML2502PBF_12 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint
IRLML2502TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*