參數(shù)資料
型號： IRLIZ24N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 281K
代理商： IRLIZ24N
IRLIZ24N
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
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相關PDF資料
PDF描述
IRLIZ34G POWER MOSFET
IRLIZ34N Power MOSFET
IRLIZ44G HEXFET POWER MOSFET
IRLL2703 HEXFET?? Power MOSFET
IRLL2705 HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLIZ34A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA
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IRLIZ34G_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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