參數(shù)資料
型號： IRLIZ24N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： IRLIZ24N
IRLIZ24N
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 25
o
C
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 175
o
C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 18A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLIZ34G POWER MOSFET
IRLIZ34N Power MOSFET
IRLIZ44G HEXFET POWER MOSFET
IRLL2703 HEXFET?? Power MOSFET
IRLL2705 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLIZ24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
IRLIZ24NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 14A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLIZ34A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA
IRLIZ34G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLIZ34G_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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