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參數(shù)資料
| 型號： | IRLI620G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Silicon Switching Diode, 200V 250MW SOT-23 |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份證\u003d 4.0a上） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | IRLI620G |
IRLI620G
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: (44) 0883 713215
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 3L1, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse
157, 61350 Bad Homburg Tel: 6172 37066
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: (39) 1145 10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram
Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, 0316 Tel: 65 221 8371
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI630G | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A) |
| IRLI640 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) |
| IRLIB4343PBF | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| IRLIB9343 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| IRLIZ14G | POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLI620GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI630A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI630ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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