參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI540NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 266K
代理商： IRLI540NPBF
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0
1000
2000
3000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 18A
1
10
100
1000
0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRLIZ34NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLL014 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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IRLMS4502 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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