參數資料
型號： IRLI3803
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 4/8頁
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代理商： IRLI3803
IRLI3803
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 24V
V = 15V
I = 71A
10
100
1000
0.4
0.8
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
T = 25°C
V = 0V
G S
I
S
A
T = 175°C
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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