參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI2203
廠商： International Rectifier
元件分類： 其它接口
英文描述： TERMINAL
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商： IRLI2203
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.039 –––
–––
––– 0.010
–––
––– 0.015
1.0
–––
44
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.1
–––
110
–––
110
–––
100
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA, T
J
>-40°C
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 31A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 26A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 55A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 46A, V
DS
= 24V, V
GS
= 5.0V
I
D
= 55A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 15V
I
D
= 55A
R
G
= 5.0
R
D
= 0.26
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
85
150
23
36
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
C
iss
C
oss
C
rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
––– 3700
––– 1700
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
310
12
pF
IRLI2203G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
μA
nA
nH
ns
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 55A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
59
0.11
1.6
89
0.17
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
210
–––
–––
52
A
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
55A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
t=60s, =60Hz
Q
g
Total Gate Charge
nC
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 20μH
R
G
= 25
, I
AS
= 55A. (See Figure 12)
Caculated continuous current based on maximum allowable junction temperature;
for recomended current-handling of the package refer to Design Tip # 93-4
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
To Order
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLI2203G Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
IRLI2910 HEXFET Power MOSFET
IRLI3615 HEXFET Power MOSFET
IRLI3705N HEXFET Power MOSFET
IRLI3705 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLI2203G 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
IRLI2203N 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLI2203NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 7mOhm 73.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI2505 功能描述:MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLI2505PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 58A TO-220FP 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 58A TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D 制造商:International Rectifier 功能描述:58 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*