參數(shù)資料
型號： IRLI2203G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.010ohm，身份證\u003d 52A條）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： IRLI2203G
Parameter
Min.
––––
––––
Typ.
––––
––––
Max.
3.1
65
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
IRLI2203G
HEXFET
Power MOSFET
PD - 9.1092A
V
DSS
= 30V
R
DS(on)
= 0.010
I
D
= 52A
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon
area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in
commercial-industrial applications. The moulding compound used provides a
high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external
heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with
standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip
or by a single screw fixing.
°C/W
Thermal Resistance
Parameter
Max.
52
37
210
48
0.32
±20
90
31
4.8
4.5
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Collector Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
°C
300 (1.6mm from case)
10 lbfin (1.1Nm)
Absolute Maximum Ratings
Description
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
Logic-Level Gate Drive
R
DS(on)
Specified at V
GS
=5.0V & 10V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRLI3615 HEXFET Power MOSFET
IRLI3705N HEXFET Power MOSFET
IRLI3705 HEXFET Power MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLI2910 功能描述:MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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