型號(hào): | IRLD110 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET POWER MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 5/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 169K |
代理商: | IRLD110 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRLI2203 | TERMINAL |
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IRLI2910 | HEXFET Power MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRLD110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLD120 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLD120PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLF110 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
IRLF120 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.3A 3PIN TO-39 - Rail/Tube |