參數(shù)資料
型號(hào): IRL540NL
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 182K
代理商: IRL540NL
IRL540NS/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
0
200
400
600
800
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 7.3A
13A
BOTTOM 18A
D
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL540NS HEXFET Power MOSFET
IRL540N HEXFET Power MOSFET
IRL540S HEXFET POWER MOSFET
IRL5602S HEXFET Power MOSFET
IRL7NJ3802 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
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參數(shù)描述
IRL540NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL540NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL540NS 制造商:IR 功能描述:HEXFET 100v 36amp 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
IRL540NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL540NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube