參數(shù)資料
型號： IRL540NL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： IRL540NL
IRL540NS/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 25°C
V = 0V
GS
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
3
6
9
12
15
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 18A
0
1000
2000
3000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL540NS HEXFET Power MOSFET
IRL540N HEXFET Power MOSFET
IRL540S HEXFET POWER MOSFET
IRL5602S HEXFET Power MOSFET
IRL7NJ3802 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
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參數(shù)描述
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IRL540NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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