參數(shù)資料
型號: IRL2505PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 219K
代理商: IRL2505PBF
IRL2505PbF
6
www.irf.com
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
VDS
L
D.U.T.
VDD
IAS
tp
0.01
RG
+
-
tp
VDS
IAS
VDD
V(BR)DSS
5.0V
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
QG
QGS
QGD
VG
Charge
5.0 V
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
1200
25
50
75
100
125
150
175
J
E
,
S
in
gle
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y(m
J)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V
= 25V
I
TOP
22A
38A
BOTTOM 54A
DD
D
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRL2505STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube