參數(shù)資料
型號： IRL2505PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 219K
代理商： IRL2505PBF
IRL2505PbF
4
www.irf.com
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
C
,Ca
pa
ci
ta
nc
e(
pF)
DS
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
A
V
= 0V,
f = 1MHz
C
= C
+ C
, C
SHORTED
C
= C
C
= C
+ C
GS
iss
gs
gd
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0
3
6
9
12
15
0
40
80
120
160
200
Q , Total Gate Charge (nC)
G
V
,G
ate
-to
-S
ou
rc
eV
olta
ge
(V
)
GS
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 54A
V
= 44V
V
= 28V
D
DS
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
T = 25°C
J
V
= 0V
GS
V
, Source-to-Drain Voltage (V)
I
,R
ev
ers
eD
ra
in
C
urre
nt
(A
)
SD
A
T = 175°C
J
1
10
100
1000
1
10
100
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
I
,D
ra
in
C
urre
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
D
DS(on)
10s
100s
1ms
10ms
A
T
= 25°C
T
= 175°C
Single Pulse
C
J
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PDF描述
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