參數(shù)資料
型號(hào)： IRL2203NL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 7.0mohm，身份證\u003d 116A）
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： IRL2203NL
IRL2203N
8
www.irf.com
LEAD ASSIG NM ENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOU RC E
4 - DRAIN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTES:
1 D IMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
2 C ONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLU DE BURRS.
Part Marking Information
TO-220AB
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
Package Outline
TO-220AB
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL2203NS Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2703 HEXFET Power MOSFET
IRL3803L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL3803S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL3803 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL2203NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2203NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2203NS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL2203NS.IRL2203NL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:(161.16 k)
IRL2203NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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