參數(shù)資料
型號： IRL1104
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： IRL1104
IRL1104
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.04
–––
––– 0.008
–––
––– 0.012
1.0
–––
53
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
–––
257
–––
32
–––
64
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 62A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 52A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 62A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 62A
V
DS
= 32V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 20V
I
D
= 62A
R
G
= 3.6
, V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.4
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
68
24
33
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
3445 –––
1065 –––
270
pF
–––
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
S
D
G
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resis-
I
GSS
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
ns
μA
nH
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 62A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 62A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
84
223
1.3
126
335
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
A
–––
–––
416
–––
––– 104
S
D
G
Source-Drain Ratings and Characteristics
V
DD
= 15V, starting T
J
= 25°C, L = 0.18mH
R
G
= 25
, I
AS
=62A. (See Figure 12)
I
SD
≤
62A, di/dt
≤
217A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature;for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL1404 HEXFET Power MOSFET
IRL2203S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A)
IRL2203 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203N Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203NL Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
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參數(shù)描述
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IRL1104LPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1104PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL1104SPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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