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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHM8160 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| 中文描述： | 重復(fù)性雪崩和DV /受好評(píng)的HEXFET晶體管胸苷 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 266K |
| 代理商： | IRHM8160 |
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
%
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
BOTTOM
ID
9.8A
14A
22A
TOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM3250 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRHM8160U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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| IRHM8230D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8230U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
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