- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385446 > IRGPF20F (International Rectifier) Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRGPF20F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | IRGPF20F |
C-251
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
IRGPF20F
0
3
6
9
12
15
0.1
1
10
100
L
f, Frequency (kHz)
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
Tsink
Gate drive as specified
Power Dissipation = 15W
0.1
1
10
100
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.01
0.1
1
10
100
5
10
15
20
C
I
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
T = 25°C
T = 150°C
V = 100V
5μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF57230SE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39) |
| IRHM7460SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=18.8A) |
| IRHY7130CM | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHY8130CM | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRKDL450 | SUPER MAGN-A-PAK? Power Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGPF30F | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A) |
| IRGPF40F | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPF50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRGPF50F | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPH20 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。