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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGBC20F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（超快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | IRGBC20F |
C-56
IRGBC20F
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
4
8
12
16
20
T
I , Collector-to-Emitter Current (A)
R = 50
T = 150°C
V = 480V
V = 15V
1
10
100
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
Refer to Section D for the following:
Appendix C: Section D - page D-5
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Loss Test Circuit
Fig. 14b - Switching Loss Waveform
Package Outline 1
- JEDEC Outline TO-220AB
Section D - page D-12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRGBC30M | Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 4V; Case Size: 8x7 mm; Packaging: Tape & Reel |
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參數(shù)描述 |
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