參數(shù)資料
型號： IRG4ZC71KD
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 224K
代理商： IRG4ZC71KD
IRG4ZC71KD
www.irf.com
9
Vg
GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
480V
4 X I
C
@25°C
0 - 480V
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
Notes:
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction
temperature (figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 5.0
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%
Pulse width 5.0μs, single shot
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
IRGAC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE
IRGAC30U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204AE
IRGAC40F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE
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參數(shù)描述
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IRG4ZH70UD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG6I320UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 330V PLASMA DISPLAY PANEL TRENCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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