參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4ZC71KD
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代理商： IRG4ZC71KD
IRG4ZC71KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
120
I = A
60
I = A
30
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
20
40
60
80
100
M
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak J
DM
thJC
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
IRGAC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE
IRGAC30U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204AE
IRGAC40F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE
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參數(shù)描述
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