參數(shù)資料
型號： IRG4RC20FPBF
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 394K
代理商： IRG4RC20FPBF
IRG4RC20FPbF
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGDDN400M12 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
IRHF597130 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRHF7110SCV 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRHM57064SCS 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
IRKH136-16D25 300 A, 1600 V, SCR
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參數(shù)描述
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IRG4RC20FTRL 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC20FTRLPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ SINGLE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4RC20FTRR 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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