參數(shù)資料
型號： IRG4PH50KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 683K
代理商： IRG4PH50KDPBF
IRG4PH50KDPbF
www.irf.com
9
Vg
GATE SIG NAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
960V
4 X I
C
@25°C
0 - 480V
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH50K Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4PSH71UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRGB20B60PD1PBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH50K-E 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 36.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR
IRG4PH50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PH50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PH50S-E 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 74.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR
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