參數(shù)資料
型號： IRG4PH50K
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： IRG4PH50K
IRG4PH50K
C-4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
10
20
30
40
50
M
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
48
I = A
24
I = A
12
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