參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC60F-P
英文描述: 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package
中文描述: 600V的快速1-8千赫分立式IGBT采用TO - 247AC焊盤封裝
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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代理商: IRG4PC60F-P
IRG4PC50S-P
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
20.5
I = A
41
I = A
82
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
LIMITED BY PACKAG E
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC60U-P 600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package
IRG4PH40S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-247AC
IRG4RC10STR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC60FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60F-PPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 90A TO-247AC
IRG4PC60U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC60UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube