- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360953 > IRG4RC10STR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRG4RC10STR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8A條一（c）|至252AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | IRG4RC10STR |
IRG4RC10S
Standard Speed IGBT
8/30/99
www.irf.com
1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
D-PAK
TO-252AA
Parameter
Max.
600
14
8.0
18
18
± 20
110
38
15
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
W
Features
Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
Industry standard TO-252AA package
Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
IGBT's optimized for specified application conditions
Benefits
Thermal Resistance
°C/W
Parameter
Typ.
–––
–––
0.3 (0.01)
Max.
3.3
50
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Weight
g (oz)
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.10V
@V
GE
= 15V, I
C
= 2.0A
PD - 91732A
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC10STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| IRG4RC10STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| IRG4ZC71KD | |
| IRG4ZH70UD | |
| IRG4ZH71KD | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4RC10STRL | 功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC10STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA |
| IRG4RC10STRRPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4RC10U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4RC10UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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