參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC50W
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)最大值.\u003d 2.30V @和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 27A條)
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代理商: IRG4PC50W
IRG4PC50W
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
54
I = A
27
I = A
13.5
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
10
20
30
40
50
60
M
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PDF描述
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4PH40KDPBF INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
IRG4PC50W-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 55000.000A TO-247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60F-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package
IRG4PC60FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube