參數(shù)資料
型號: IRG4PC50FPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: IGBT的速度快-絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 316K
代理商: IRG4PC50FPBF
IRG4PC50FPbF
www.irf.com
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0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
A
V = 400V
I = 39A
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
0
10
20
30
40
50
60
T
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 39A
C
R , Gate Resistance
(
)
0.1
1
10
100
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
I = 78A
I = 39A
I = 20A
R = 5.0
V = 15V
V = 480V
CC
0
2000
4000
6000
8000
1
10
100
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
A
C
ies
C
res
C
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PC50KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
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IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A