參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20KD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管ULRTAFAST索夫爾恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： IRG4BC20KD-SPBF
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-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
4.5
I = A
9
I = A
18
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
M
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30K-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC30UPBF UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40FPBF INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20KD-SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 16A
IRG4BC20KDSTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20KD-STRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK D2-PAK
IRG4BC20KD-STRR 功能描述:IGBT UFAST 600V 16A RIGHT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20KDSTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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