- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385445 > IRG4BC20KD-SPBF (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC20KD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管ULRTAFAST索夫爾恢復二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | IRG4BC20KD-SPBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30K-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT |
| IRG4BC30UPBF | UltraFast Speed IGBT |
| IRG4BC40WPBF | ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4PC40FPBF | INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT |
| IRG4PC40KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC20KD-SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 16A |
| IRG4BC20KDSTRLP | 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC20KD-STRLP | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK D2-PAK |
| IRG4BC20KD-STRR | 功能描述:IGBT UFAST 600V 16A RIGHT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20KDSTRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。