參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ48VSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： IRFZ48VSPBF
IRFZ48VSPbF
4
www.irf.com
!
!
"# $
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cis = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
72A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 °
= 25 °
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG4BC20KD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC30K-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC30UPBF UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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