參數(shù)資料
型號： IRFZ48VSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： IRFZ48VSPBF
IRFZ48VSPbF
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 72A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 72A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
70
155
2.0
100
233
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
72
290
Starting T
J
= 25°C, L = 64μH
R
G
= 25
, I
AS
= 72A. (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
72A di/d
≤
151A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
60
–––
–––
0.064 –––
–––
–––
2.0
–––
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.6
–––
200
–––
157
–––
166
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 43A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 43A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 72A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 30V
I
D
= 72A
R
G
= 9.1
R
D
= 0.34
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
m
V
S
12.0
4.0
–––
25
250
100
-100
110
29
36
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1985
496
91
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG4BC20KD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC30K-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC30UPBF UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRFZ48ZL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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