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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ44VSPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | IRFZ44VSPBF |
IRFZ44VS/LPbF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRFZ44VPBF | Ultra Low On-Resistance |
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| IRFZ44ZS | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRFZ44VSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44VSTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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