參數(shù)資料
型號： IRFZ44VLPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 227K
代理商： IRFZ44VLPBF
IRFZ44VS/LPbF
4
www.irf.com
!
!
"!
" !
#$!%
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cis = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
I =
51A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 °
= 25 °
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.7
1.2
1.7
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44VSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44VPBF Ultra Low On-Resistance
IRFZ44V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
IRFZ44Z RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ44ZL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44VS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 55A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 55A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRFZ44VSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*