參數(shù)資料
型號： IRFZ34NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFZ34NPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
40
80
120
160
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 480V
VDS= 300V
VDS= 120V
ID= 22A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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IRFZ44NSPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
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